对
错
第1题:
此题为判断题(对,错)。
第2题:
第3题:
第4题:
关于9013,下面()是正确的。
第5题:
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
第6题:
第7题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
第8题:
A.较大
B.较小
C.相同
第9题:
硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。
第10题:
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()
填空题硅管的死区电压()伏,锗管的死区电压约为()伏。
二极管具有()向导电性,两端加上正向电压时有一段“死区电压”,锗管约为()V;硅管约为()V。
硅管的死区电压约为()V,锗管的死区电压约为()V。
问答题二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
二极管伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压?硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少?
硅管的死区电压为0.5V,锗管的死区电压为()。A、0.5VB、0.7VC、0.4VD、0.2V
硅二极管和锗二极管的死区电压的典型值约为多少?