无损检测技术资格人员考试
单选题由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。A 对探伤有利B 对探伤不利C 半扩散角增大D 超声波能量发散
题目
单选题
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。
A
对探伤有利
B
对探伤不利
C
半扩散角增大
D
超声波能量发散
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相似问题和答案
第1题：
探头的晶片尺寸增加对探头的（）有不利影响。
- A、 声束的指向性
- B、 近场区长度
- C、 远距离缺陷检出能力
- D、 以上都是
正确答案:B
第2题：
横波探头晶片尺寸一定，K值增大时，近场区长度减小。
正确答案:正确
第3题：
超声场近场区长度和指向角的大小都取决于超声波的波长及晶片的尺寸。 （ ）
此题为判断题(对，错)。
正确答案：√
第4题：
探头晶片尺寸的增加会使（）增加，波束指向性变好。
正确答案:半扩散角
第5题：
半扩散角是晶片尺寸和声波波长的函数，它（）。
- A、随频率增加、晶片尺寸减小而减小
- B、随频率或晶片尺寸减小而增大
- C、随频率或晶片尺寸减小而减小
- D、频率增加、晶片尺寸减小而增大
正确答案:B
第6题：
同频率的探头其扩散角与探头晶片尺寸成反比，近场区长度与晶片面积成正比。
正确答案:正确
第7题：
斜探头横波声场近场区分布在两种介质中，在晶片尺寸和频率相同时近场区长度随横波探头K值的增大而（）。
- A、 增大
- B、 不变
- C、 减小
- D、 都有可能
正确答案:C
第8题：
若园晶片直径为D，探测距离为X，声压公式为Px=P0πD2/4λx，则()
A.X＜N(近场区长度)此公式正确
B.X＞1.6N时此公式基本上可用
C.X＞3N时此公式基本正确
D.X＞6N时此公式正确
E.BC和D
B.X＞1.6N时此公式基本上可用
C.X＞3N时此公式基本正确
D.X＞6N时此公式正确
E.BC和D
答案：E
解析：
第9题：
由N=D2/4λ可知晶片尺寸增加，近场区长度迅速增加，（）。
- A、 对探伤有利
- B、 对探伤不利
- C、 半扩散角增大
- D、 超声波能量发散
正确答案:B
第10题：
近场区长度在频率给定时，随晶片直径变小而（）。
- A、缩短
- B、不变
- C、增加
- D、扩散
正确答案:A