无损检测技术资格人员考试

单选题下面有关磁化操作的叙述()是正确的A 决定磁化方法时,必须考虑磁化方向,尽可能使缺陷阻挡较多的磁力线B 当不知道缺陷的方向时,必须改变磁化磁场方向,进行二次以上的磁化操作C 在线圈内磁化粗短试件时,可将几个试件按预测的缺陷方向连接即可D 施加磁场时,应尽可能使探伤面与磁场方向垂直E A和B都对

题目
单选题
下面有关磁化操作的叙述()是正确的
A

决定磁化方法时,必须考虑磁化方向,尽可能使缺陷阻挡较多的磁力线

B

当不知道缺陷的方向时,必须改变磁化磁场方向,进行二次以上的磁化操作

C

在线圈内磁化粗短试件时,可将几个试件按预测的缺陷方向连接即可

D

施加磁场时,应尽可能使探伤面与磁场方向垂直

E

A和B都对

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相似问题和答案

第1题:

下面关于DOS操作系统的叙述正确的是( )。


正确答案:A

第2题:

下面关于DOS操作系统的叙述中,正确的是()。

ADOS是分时操作系统

BDOS是实时操作系统

CDOS是单用户多任务操作系统

DDOS是单任务单用户操作系统


D

第3题:

下面是有关操作系统的叙述,其中正确的是______。

A.操作系统是一种应用软件

B.操作系统是一种学习软件

C.操作系统是一种系统软件

D.操作系统是一种工具软件


正确答案:C
解析:操作系统是最重要的系统软件。

第4题:

下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()

  • A、与试件上总的磁通密度有关
  • B、与缺陷自身高度有关
  • C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
  • D、以上都对

正确答案:D

第5题:

下列关于磁写的叙述中,正确的是()

  • A、它出现于磁导率不同的分界线上
  • B、由被磁化的试件与未磁化的试件接触而引起
  • C、由于磁化磁场过强而引起
  • D、由于磁化电流太大而引起
  • E、由于被磁化的试件相互接触而造成
  • F、E和B

正确答案:F

第6题:

下面有关DNA的叙述正确的是 ( )


正确答案:A

第7题:

下列有关磁写的叙述()是正确的

  • A、它出现于磁导率不同的分界线上
  • B、由于被磁化的试件与非磁性材料接触引起的
  • C、由于磁化磁场过强引起的
  • D、由于磁化电流太大引起的
  • E、由于被磁化的试件相互接触造成的

正确答案:E

第8题:

下面是有关操作系统的叙述,其中正确的是______。

A.操作系统是一组存储管理程序

B.操作系统是一组中断处理程序

C.操作系统是一组资源管理程序

D.操作系统是一组文件管理程序


正确答案:C
解析:操作系统管理计算机的所有资源。

第9题:

矫顽力的正确叙述是():

  • A、在连续法中用来描叙磁化力
  • B、在一块材料中为去掉剩磁所需的反向磁化力
  • C、以上都对

正确答案:B

第10题:

下列有关磁化电流方向与缺陷方向之间关系的正确叙述是()

  • A、直接通电磁化时,与电流方向垂直的缺陷最容易探测到
  • B、直接通电磁化时,与电流方向平行的缺陷最容易探测到
  • C、直接通电磁化时,与电流方向无关,任何方向的缺陷都能探出
  • D、用线圈法磁化时,与线圈内电流方向垂直的缺陷最容易探出

正确答案:B

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