无损检测技术资格人员考试

单选题下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()A 与试件上总的磁通密度有关B 与缺陷自身高度有关C 磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大D 以上都对

题目
单选题
下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()
A

与试件上总的磁通密度有关

B

与缺陷自身高度有关

C

磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大

D

以上都对

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第1题:

关于零点漂移产生的原因下列叙述正确的是()。

  • A、电路元件本身缺陷
  • B、电源电压波动
  • C、电路级数过多

正确答案:A,B,C

第2题:

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的磁通密度无关


正确答案:错误

第3题:

下列关于漏磁通的叙述,正确的是()

  • A、内部缺陷处的漏磁通比同样大小的表面缺陷漏磁通大
  • B、缺陷的漏磁通通常与试件上的磁场强度成反比
  • C、表面缺陷的漏磁通密度,随离开表面的距离增大而急剧下降
  • D、用有限线圈磁化长的工件,不需要进行分段磁化

正确答案:C

第4题:

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的80%时,缺陷漏磁通开始急剧增大


正确答案:正确

第5题:

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述()是正确的

  • A、磁化强度为一定时,缺陷高度小于1mm的形状相似的表面缺陷,其漏磁通与缺陷高度无关
  • B、缺陷离试件表面越近,缺陷漏磁通越小
  • C、在磁化状态、缺陷种类和大小为一定时,缺陷漏磁通密度受缺陷方向影响
  • D、交流磁化时,近表面缺陷的漏磁通比直流磁化时要小
  • E、当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响
  • F、c,d和e都对

正确答案:F

第6题:

下列关于缺陷漏磁通的叙述,正确的是()

  • A、与试件上总的磁通密度有关
  • B、与缺陷自身高度有关
  • C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
  • D、以上都对

正确答案:D

第7题:

试件上的磁通密度在大于、等于饱和磁通密度的()%时,缺陷漏磁通开始急剧增大


正确答案:80

第8题:

当磁化强度、缺陷种类和大小为一定时,缺陷处的漏磁通密度受磁化方向的影响。


正确答案:正确

第9题:

在磁粉探伤时,缺陷处所产生的漏磁通的大小与通过工件的()有关,与缺陷的()和()有关


正确答案:磁通密度;几何形状;方向

第10题:

下列有关缺陷所形成的漏磁通的叙述中哪个是正确的()

  • A、它与试件上的磁通密度有关
  • B、它与缺陷的高度有关
  • C、磁化方向与缺陷垂直时漏磁通最大
  • D、以上都对

正确答案:D

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