错构
虚构
器质性遗忘
柯萨可夫综合征
人为的(心因性)遗忘症
第1题:
A、左侧大脑半球额中回后部
B、左侧大脑半球额下回后部
C、右侧大脑半球额中回后部
D、右侧大脑半球额下回后部
第2题:
33 .电击头部或脑震荡可能导致
A .逆行性遗忘症
B .顺行性遗忘症
C .近期记忆受损
D .远期记忆增强
E .近期和远期记忆障碍
第3题:
大脑半球中深埋在______内的一些灰质核团称基底核。
A.灰质
B.髓质
C.皮质
第4题:
识记障碍有关的是
A.记忆增强
B.记忆错构和虚构
C.遗忘症
D.记忆减退
E.潜隐记忆
第5题:
A.痴呆
B.谵妄
C.遗忘症
D.抑郁
第6题:
:在一次实验中,研究人员将大脑分为若干个区域,然后扫描并比较了每个人大脑各区域的脑灰质含量。结果显示,智商测试中得分高的人与得分低的人相比,其大脑中有24个区域灰质含量更多,这些区域大都负责人的记忆、反应和语言等各种功能。从这段文字中,我们可以推出( )。
A.智商低的人大脑中不含灰质
B.大脑中灰质越多的人,智商越高
C.聪明的人在大脑24个区域中含有灰质
D.智商高的人,记忆、反应和语言能力都强
第7题:
电击头部或脑震荡可能导致 ( )
A、逆行性遗忘症
B、顺行性遗忘症
C、近期记忆受损
D、短期记忆受损
E、近期和远期记忆障碍
第8题:
在遗忘症中,"大脑半球内一些贮存记忆的区域都发生障碍"属于
A.错构
B.虚构
C.器质性遗忘
D.柯萨可夫综合征
E.人为的(心因性)遗忘症
第9题:
A大脑左半球
B大脑右半球
C额叶
D突触
第10题:
电击头部或脑震荡可能导致()