突触前末梢递质释放减少
突触后膜Ca2+电导降低
突触后膜Na+电导降低
中间神经元受抑制
突触后膜发生超极化
第1题:
抑制性突触后电位产生的离子机制主要是
A.Na+内流
B.K+外流
C.Ca2+内流
D.Cl-内流
E.Na+内流和K+外流
第2题:
第3题:
IPSP的产生机制主要与下列哪种离子通道的通透性增高有关?
A.Na+
B.K+
C.C1-
D.Ca2+
第4题:
产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()
第5题:
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
第6题:
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是( )。
第7题:
第8题:
产生抑制性突触后电位的主要离子基础是
A.K+
B.Na+
C.Ca2+
D.Cl-
E.Mg2+
第9题:
抑制性突触后电位产生的离子机制是()
第10题:
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()