公共基础

多选题下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。ATTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。BTTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。CTTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。DTTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

题目
多选题
下面对TTL和CMOS集成电路描述错误的是()。
A

TTL集成门电路的电源电压比CMOS集成门电路的电源电压范围宽。

B

TTL集成门电路的功耗比CMOS集成门电路的功耗低。

C

TTL与非门的输入端可以悬空,CMOS与非门的输入端不可以悬空。

D

TTL与非门和CMOS与非门的输入端都可以悬空。

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相似问题和答案

第1题:

TTL电路和CMOS电路接口时,无论是用TTL电路驱动CMOS电路还是用CMOS电路驱动TTL电路,驱动门都必须为负载门提供合乎标准的高、低电平和足够的电流。()

此题为判断题(对,错)。


参考答案:对

第2题:

对于TTL电路和CMOS电路的原理及比较,以下描述中不正确的是______。

A.TTL电路是电压控制,CMOS电路是电流控制
B.TTL电路速度快,但是功耗大,CMOS电路速度慢,传输延迟时间长
C.CMOS电路具有锁定效应
D.CMOS电路在使用时不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或下拉电阻

答案:A
解析:
本题考查模拟电路方面的基础知识。TTL指晶体管-晶体管逻辑集成电路(Transistor-transistor Logic),TTL电平输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V。最小输入则要求:输入高电平≥2.0V,输入低电平≤0.8V,噪声容限是0.4V。COMS集成电路是互补对称金属氧化物半导体,电路的许多基本逻辑单元都是用增强型PMOS晶体管和增强型NMOS管按照互补对称形式连接的,静态功耗很小。COMS电路的供电电压VDD范围比较广,在+5~+15V均能正常工作,当输出电压高于VDD-0.5V时为逻辑1,输出电压低于VSS+0.5V(VSS为数字地)为逻辑0,扇出数为10~20个COMS门电路。TTL电路和CMOS电路的区别主要表现在:(1)TTL电路是电流控制器件,而CMOS电路是电压控制器件。(2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大。COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低。COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象。COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大。这种效应就是锁定效应。当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片。COMS电路是电压控制器件,它的输入总抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强。所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平。TTL电路的输入端悬空时相当于输入端接高电平。因为这时可以看作是输入端接一个无穷大的电阻。TTL电路在门电路输入端串联10K电阻后再输入低电平,输入端呈现的是高电平而不是低电平。

第3题:

CMOS 数字集成电路与 TTL 数字集成电路相比突出的优点是()。

A.微功耗

B.高速度

C.高抗干扰能力

D.电源范围宽


正确答案:ACD

第4题:

单极型集成电路是()。

  • A、TTL型
  • B、TDK型
  • C、CMOS型

正确答案:C

第5题:

供电电压相同时,CMOS电路与TTL电路输出的高电平与低电平的情况为()

  • A、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高,低电平比TTL输出的低电平低
  • B、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平高,低电平比TTL输出的低电平高
  • C、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低,低电平比TTL输出的低电平低
  • D、CMOS的输出高电平比TTL的输出高电平低,低电平比TTL输出的低电平高

正确答案:A

第6题:

下列关于74HCT系列逻辑器件输入输出电平的描述中,正确的是(27)。

A.输入为TTL电平,输出为TTL电平

B.输入为CMOS电平,输出为TTL电平

C.输入为TTL电平,输出为CMOS电平

D.输入为CMOS电平,输出为CMOS电平


正确答案:C
解析:查有关74HCT系列逻辑器件的技术资料,可以发现,该系列逻辑器件的输入是TTL电平,其输出可接CMOS负载。用于实现从TTL芯片到CMOS器件的连接是很方便的。

第7题:

把构成门电路的基本元件制作在一小片半导体芯片上,就构成集成电路,根据制造工艺的不同,把数字集成电路分为哪两种。()

  • A、双极性集成电路
  • B、TTL集成电路
  • C、CMOS集成电路
  • D、单极性集成电路

正确答案:A,D

第8题:

当前集成电路中最流行的制造技术有()。

A、DTL技术

B、TTL技术

C、CMOS技术

D、继电器技术


参考答案:C

第9题:

按制造工艺集成电路分为()。

  • A、半导体集成电路
  • B、TTL集成电路
  • C、厚膜集成电路
  • D、薄膜集成电路
  • E、CMOS集成电路

正确答案:A,C,D

第10题:

下列说法错误的是()

  • A、双极型数字集成门电路是以场效应管为基本器件构成的集成电路
  • B、TTL逻辑门电路是以晶体管为基本器件构成的集成电路
  • C、CMOS集成门电路集成度高,但功耗较高
  • D、TTL集成门电路集成度高,但功耗较低
  • E、TTL集成门电路集成度高,但功耗较高

正确答案:A,C,D