光伏电站
单选题在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。A 凸透镜B 凹透镜C 聚光镜D 平光镜
题目
单选题
在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
A
凸透镜
B
凹透镜
C
聚光镜
D
平光镜
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相似问题和答案
第1题：
简述采用8次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程与非晶硅薄膜晶体管的不同。
正确答案:8次光刻的多晶硅薄膜晶体管增加了CMOS驱动电路部分由p沟道TFT和n沟道TFT的制作工艺。工艺流程：
栅极→有源岛→n-区和n+区掺杂→p+区掺杂→过孔→源漏电极→钝化层→ITO像素电极
5次光刻的非晶硅薄膜晶体管的工艺流程：
栅极→a-Si：H有源岛→源漏电极、n+a-Si沟道切断→SiNx保护膜、过孔→ITO像素电极
第2题：
宁东光伏电站的电池组件是（）材料。
- A、多晶硅
- B、单晶硅
- C、薄膜
- D、砷化钾
正确答案:A
第3题：
太阳辐射量较低.散射分量较大.环境温度较高的地区宜选用()。
A.单晶硅光伏组件
B.多晶硅光伏组件
C.薄膜光伏组件
D.聚光光伏组件
参考答案：C
第4题：
简述多晶硅薄膜晶体管驱动OLED的优点。
正确答案:优点：1）具有较高的载流子迁移率；
2）多晶硅TFT阈值电压漂移也要比非晶硅大大减小，稳定性高，更适合作为AMOLED显示的驱动器件；
3）由于迁移率高，还可以减小TFT器件的尺寸，可以保证一样的开态电流，但像素开口率提高；
4）容易制作出n沟道和p沟道的TFT器件，实现周边驱动的CMOS集成电路。
第5题：
目前，实现商业化批量生产的、能量转化效率最高的光伏电池类型是（）。
- A、单晶硅太阳电池；
- B、多晶硅太阳电池；
- C、薄膜太阳电池；
- D、化合物电池。
正确答案:A
第6题：
简述采用9次光刻的多晶硅薄膜晶体管的工艺流程技术关键。
正确答案:1）第一次光刻有源岛；
2）第二次光刻栅极；
3）第三次光刻n-区和n+区掺杂；
4）第四次光刻p+区掺杂；
5）第五次光刻过孔及第六次光刻源漏电极；
6）第七次光刻金属M3层和第八次光刻过孔
7）第九次光刻像素电极。
技术关键是第三次光刻采用SiNx等材料作为沟道保护层，而在顶栅结构中用栅极图形自对准掩膜部分阻挡掺杂。首先利用涂胶曝光显影后形成光刻胶的图形。光刻胶的图形覆盖n沟道TFT的沟道区域和Los区、驱动部分p沟道TFT的有源岛区域。用磷烷（PH3）通过离子掺杂（或离子注入）掺入磷P，除光刻胶覆盖区域外形成了磷掺杂区域，掺杂浓度为1017~1018cm-3，为轻掺杂的电子导电的n-区。去胶后用栅极做掩膜，再进行磷掺杂。有源岛的Los区域轻掺杂了磷，而有源岛的源区和漏区第二次掺杂磷后，形成重掺杂区，掺杂浓度变为1020~1021cm-3。有源岛形成了三种状态，重掺杂的电子导电区n+区、部分轻掺杂的n-区和未掺杂的多晶硅沟道区。轻掺杂的n-区主要用于形成LDD结构的Los区。重掺杂的n+区主要用于作n沟道TFT的源区和漏区。
第7题：
在多晶硅薄膜制造装置中也可使用RTP，将得到的灯光用（）聚光，然后缓慢地移动位置，使多晶硅薄膜再结晶化。
- A、凸透镜
- B、凹透镜
- C、聚光镜
- D、平光镜
正确答案:C
第8题：
调亮度,将固定聚光镜组的螺钉拧松,将聚光组推向灯炮方向,亮度()。
A.降低
B.加强
C.不变不清晰
参考答案：B
第9题：
薄膜晶体管液晶显示器（TFT-LCD）所用的半导体材料中，目前使用最广泛、发展最成熟的是（）。
- A、非晶硅
- B、单晶硅
- C、多晶硅
正确答案:A
第10题：
简述低温多晶硅薄膜晶体管特点。
正确答案:1）高迁移率；
2）容易p型和n型掺杂；
3）自对准结构；
4）抗光干扰能力强；
5）抗电磁干扰能力强。