其它
4、集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。A．干氧氧化B．湿氧氧化C．离子氧化D．水蒸汽氧化
题目
4、集成电路制造工艺中，以下不是热氧化方法的是： 。
A．干氧氧化
B．湿氧氧化
C．离子氧化
D．水蒸汽氧化
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相似问题和答案
第1题：
在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
正确答案:正确
第2题：
按制造工艺集成电路分为（）。
- A、半导体集成电路
- B、TTL集成电路
- C、厚膜集成电路
- D、薄膜集成电路
- E、CMOS集成电路
正确答案:A,C,D
第3题：
下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。
A、膜集成电路
B、半导体集成电路
C、混合集成电路
D、模拟集成电路
参考答案：D
第4题：
集成电路中元器件的特点是（）。
- A、集成电路中元器件的性能比较一致，对称性好，适于作差动放大电路
- B、由于制造三极管比制造电阻器节省硅片，且工艺简单，故集成电路中三极管用得多，电阻用得少
- C、集成电路中的电容是用PN结的结电容，一般小于100PF
- D、集成电路中的三极管是低频小功率管
- E、集成电路中的二极管是高性能管
正确答案:A,B,C
第5题：
集成电路按照制造工艺可分为（）。
- A、半导体集成电路
- B、薄膜集成电路
- C、数字集成电路
- D、厚膜集成电路
正确答案:A,B,D
第6题：
按照制造工艺可分为半导体集成电路、薄膜集成电路和（）集成电路。
- A、数字
- B、厚膜
- C、小规模
- D、专用
正确答案:B
第7题：
集成电路正确的分类方法是（）。
- A、按用途
- B、按功能
- C、按导电类型
- D、按制造工艺
- E、按集成度
正确答案:B,C,D,E
第8题：
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
正确答案: 扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散优点：开管扩散的重复性和稳定性都很好。（2）.箱法扩散优点；箱法扩散的硅表面浓度基本由扩散温度下杂质在硅中的固溶度决定，均匀性较好。（3）.涂源法扩散缺点：这种扩散方法的表面浓度很难控制，而且又不均匀。（4）.杂质源也可以采用化学气相淀积法淀积，这种方法的均匀性、重复性都很好，还可以把片子排列很密，从而提高生产效率，其缺点是多了一道工序。液态源扩散液态源扩散优点：系统简单，操作方便，成本低，效率高，重复性和均匀性都很好。扩散过程中应准确控制炉温、扩散时间、气体流量和源温等。源瓶的密封性要好，扩散系统不能漏气。气态源扩散气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物，这些气体的毒性很大，且易燃易爆，操作上要十分小心。快速气相掺杂（RVD）气体浸没激光掺杂（GILD）
第9题：
集成电路的基本制造工艺是：首先是对圆柱形的单晶硅进行（），生产大片的（），并在其上制造出大量电路单元。
正确答案:切片；圆片
第10题：
集成电路由（）、（）、（）等组成，集中制造在一个芯片上，目前的超大规模集成电路芯片，其制造工艺已达到（）微米级程度。
正确答案:晶体管；电阻；电容；0.13