铁路电务系统考试
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相似问题和答案
第1题：
一般来说,硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。()
此题为判断题(对，错)。
参考答案：错
第2题：
硅管的反向电流比锗管的反向电流大。（）
答案：错
解析：
硅管的反向电流比锗管的反向电流小。
第3题：
三极管加正向偏置时存在一个死区电压,锗管死区电压为()V,硅管为()V。
参考答案：0.2～0.3 0.6～0.7
第4题：
关于9013，下面（）是正确的。
- A、NPN硅管
- B、PNP硅管
- C、NPN锗管
- D、PNP锗管
正确答案:A
第5题：
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
正确答案:错误
第6题：
A.NPN型锗管
B.PNP型锗管
C.NPN型硅管
D.PNP型硅管
B.PNP型锗管
C.NPN型硅管
D.PNP型硅管
答案：A
解析：
第7题：
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的（）。
- A、大
- B、小
- C、相等
- D、无法判定
正确答案:A
第8题：
硅管比锗管受温度影响()。
A.较大
B.较小
C.相同
参考答案：B
第9题：
硅二极管的死区电压和锗二极管死区电压相等。
正确答案:正确
第10题：
二极管的伏安特性上有一个死区电压。什么是死区电压？硅管和锗管的死区电压的典型值约为多少？
正确答案: 当正向超过某值Us时，正向电流才迅速增大，这个Us值就称为死区电压。出现死区电压的原因是由于PI/I结形成后，空间电荷区的内电场阻止多数载沈子扩散，当外加正向电压很低时，不能克服内电场的阻碍作用，这样使得正向扩散电流很小，通过=极管的电流较小（近似为o），硅管和锗管的死区电压分别均为0.5v和0.1V。