硅管的导通电压比锗管大,反向电流比锗管(),温度稳定性比锗管()。
第1题:
第2题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
第3题:
A.较大
B.较小
C.相同
第4题:
关于9013,下面()是正确的。
第5题:
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
第6题:
第7题:
硅二极管,它在反向电压下的漏电流比锗管小得多,但导通电压较高,约()V。
第8题:
第9题:
区分硅管和锗管是通过测量BE结的()。
第10题:
硅管比锗管受温度影响()。
晶体二极管特性为()导通,()截止,导通后硅管压降为(),锗管压降为()。
锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。
单选题硅二极管的反向电流比锗二极管的反向电流()A 大B 小C 相等D 以上答案都不对
硅二极管的导通电压值约为(),锗二极管的导通电压约为()。
硅管的导通压降约为()V,锗管的导通压降约为()V。
在相同温度下,硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的()
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()
硅二极管反向导通电流一般()。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
硅管比锗管受温变影响()。A、较大B、较小C、相同D、不一定
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的大。()