硅管比锗管受温变影响()。
第1题:
A.较大
B.较小
C.相同
第2题:
第3题:
A、PNP型锗
B、NPN型锗
C、PNP型硅
D、NPN型硅
第4题:
在某放大电路中,测得三极管静态电位VBE=0.2V、VCE=4V,则这只三极管为()。
第5题:
硅二极管的正向导通压降比锗二极管的()。
第6题:
第7题:
第8题:
A、锗开关
B、锗普通
C、硅普通
D、硅开关
第9题:
硅管是指NPN型,锗管是指PNP型。
第10题:
硅二极管的反向电流比锗二极管大。
晶体二极管导通时的正向压降:硅管约为()V,锗管约为()V。通常硅二极管的死区电压约为()V,锗二极管的死区电压约为()V。
二极管2CP的意义是()。A、N型硅材料普通管B、P型硅材料稳压管C、N型锗材料普通管D、P型锗材料稳压管
三极管3DG130C是()。A、高频小功率PNP型锗管B、高频大功率NPN型锗管C、低频小功率PNP型硅管D、高频小功率NPN型硅管
硅管的导通电压比锗管大,反向电流比锗管(),温度稳定性比锗管()。
硅二极管反向导通电流一般()。A、为0B、比锗管小C、比锗管大D、比砷化镓二极管小
锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。
单选题锗二极管的压降比硅二极管的要小,理论上锗二极管是0.3V,硅二极管是()。A 0.4VB 0.5VC 0.6VD 0.7V
在相同温度下,硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的()
硅管比锗管受温度影响()。A、较大B、较小C、相同
判断题锗管比硅管的接触电位差大,因此锗管比硅管的死区电压大。A 对B 错