集成电路制造工艺员
下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。A、干氧氧化B、湿氧氧化C、水汽氧化D、与氧化方法无关
题目
下列几种氧化方法相比，哪种方法制得的二氧化硅薄膜的电阻率会高些（）。
- A、干氧氧化
- B、湿氧氧化
- C、水汽氧化
- D、与氧化方法无关
如果没有搜索结果，请直接 联系老师 获取答案。
如果没有搜索结果，请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案
第1题：
哪种类型的二氧化硅致纤维化作用最强
A、游离二氧化硅
B、结合二氧化硅
C、结晶型游离二氧化硅
D、隐晶型游离二氧化硅
E、无定型游离二氧化硅
参考答案：C
第2题：
说明水汽氧化的化学反应，水汽氧化与干氧氧化相比速度是快还是慢？为什么？
正确答案:化学反应：Si+2H2O->SiO2+2H2
水汽氧化与干氧氧化相比速度更快，因为水蒸气比氧气在二氧化硅中扩散更 快、溶解度更高
第3题：
下列因素中哪个与矽肺的发病直接无关
A．二氧化硅含量
B．结合型二氧化硅
C．二氧化硅浓度
D．二氧化硅分散度
E．接触二氧化硅的工龄
正确答案：B
(答案：B)结合型二氧化硅(硅酸盐)可引起硅酸盐肺。
(答案：B)结合型二氧化硅(硅酸盐)可引起硅酸盐肺。
第4题：
采用热氧化方法制备的二氧化硅从结构上看是（）的。
- A、结晶形态
- B、非结晶形态
- C、可能是结晶形态的，也可能是非结晶形态的
- D、以上都不对
正确答案:B
第5题：
干氧氧化法具备以下一系列的优点（）。
- A、生长的二氧化硅薄膜均匀性好
- B、生长的二氧化硅干燥
- C、生长的二氧化硅结构致密
- D、生长的二氧化硅是很理想的钝化膜
- E、生长的二氧化硅掩蔽能力强
正确答案:A,B,C,D,E
第6题：
测定二氧化硅的分析方法有（），（），（）等。
正确答案:滴定分析法；重量法；气化法
第7题：
在温度相同的情况下，制备相同厚度的氧化层，分别用干氧，湿氧和水汽氧化，哪个需要的时间最长？（）
- A、干氧
- B、湿氧
- C、水汽氧化
- D、不能确定哪个使用的时间长
正确答案:A
第8题：
下列因素中哪个与矽肺的直接发病无关
A.二氧化硅含量
B.结晶型二氧化硅
C.上述粉尘浓度
D.上述粉尘分散度
E.接触上述粉尘的工龄
正确答案：A
第9题：
（）的方法有利于减少热预算。
- A、高压氧化
- B、湿氧氧化
- C、掺氯氧化
- D、氢氧合成氧化
- E、等离子增强氧化
正确答案:A,E
第10题：
干氧氧化法有一些优点，但同时它的缺点有（）。
- A、生长出的二氧化硅中引入很多可动离子
- B、氧化的速度慢
- C、生长的二氧化硅缺陷多
- D、生长的二氧化硅薄膜钝化效果差
正确答案:B