第1题:
A.输入信号
B.输出信号
C.输入∕输出信号
第2题:
CAS—OB的冶金功能和技术特点是什么?
第3题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:
① SRAM比DRAM存储电路简单
② SRAM比DRAM成本高
③ SRAM比DRAM速度快
④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新
A.①和②
B.②和③
C.③和④
D.①和④
第4题:
μPD424256的容量为256K×4bit,即芯片内部有256K个存储单元,每个存储单元可存储4位信息。下面关于μPD424256的叙述中,正确的是( )。
A.芯片内部有256K个存储单元,因此芯片有18个地址引脚
B.芯片的RAS和CAS选通信号主要用于DRAM的刷新
C.芯片的数据线有4根,但为减少芯片的引脚数,它们与18个地址信号中的低4位地址线是分时复用的
D.DRAM芯片中的存储单元除像μPD424256那样存储4位信息外,有的DRAM芯片中的存储单元存储1位信息,有些存储8位信息
第5题:
A、cache、DRAM和硬盘
B、DRAM、cache和硬盘
C、硬盘、DRAM和cache
D、DRAM、硬盘和cache
第6题:
A、ras、b-myc、c-myb
B、ras、c-myc、c-myb
C、cas、c-mmc、c-myb
D、ras、c-myc、c-my
E、rrs、c-myc、c-myb
第7题:
A.输入信号
B.输出信号
C.输入/输出信号
D.接地
第8题:
下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第9题:
下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。
Ⅰ DRAM比SRAM集成度高
Ⅱ DRAM比SRAM成本高
Ⅲ DRAM比SRAM速度快
Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新
A.Ⅰ和Ⅱ
B.Ⅱ和Ⅲ
C.Ⅲ和Ⅳ
D.Ⅰ和Ⅳ
第10题: