工学

问答题说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。

题目
问答题
说明SRAM、DRAM、MROM、PROM和EPROM的特点和用途。
参考答案和解析
正确答案: S.RAM:静态RAM,读写速度快,但是集成度低,容量小,主要用作Cache或小系统的内存储器。
D.RAM:动态RAM,读写速度慢于静态RAM,但是它的集成度高,单片容量大,现代微型计算机的“主存”均由DRAM构成。
M.ROM:掩膜ROM,由芯片制作商在生产、制作时写入其中数据,成本低,适合于批量较大、程序和数据已经成熟、不需要修改的场合。
P.ROM:可编程ROM,允许用户自行写入芯片内容。芯片出厂时,所有位均处于全“0”或全“1”状态,数据写入后不能恢复。因此,PROM只能写入一次。
E.PROM:可擦除可编程只读存储器,可根据用户的需求,多次写入和擦除,重复使用。用于系统开发,需要反复修改的场合。
解析: 暂无解析
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相似问题和答案

第1题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单

Ⅱ.DRAM比SRAM成本高

Ⅲ.DRAM比SRAM速度快

Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新

其中哪两个叙述是错误的?

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:B
解析:本题考查DRAM和SRAM存储器芯片的相关概念。SRAM是利用半导体双稳态触发器电路的两个稳定状态“1”和“0”来记忆信息的,该稳定状态会保持到接收到触发信号时为止。SRAM在存储信息过程中没有自动刷新过程,只有在执行存操作命令时才会出现写(即刷新)操作。DRAM依靠电容暂存电荷来存储信息,电容充电至高电平为“1”,放电至低电平为“0”。由于暂存电荷会逐渐泄漏,需要定期补充电荷来维持为“1”的存储内容,这种方法称为动态刷新。DRAM存储单元的结构比SRAM复杂,制造成本高,速度也要快。正确答案为选项B。

第2题:

下面有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,正确的是( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新,SRAM不需要刷新

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:D

第3题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

① SRAM比DRAM存储电路简单

② SRAM比DRAM成本高

③ SRAM比DRAM速度快

④ SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

A.①和②

B.②和③

C.③和④

D.①和④


正确答案:D
解析:DRAM靠MOS电路中的栅极电容来记忆信息,电容上的电荷会泄露,需要 定时给电容充电,通常,DRAM每隔一定时间间隔(约2 ms)将数据读出并写入, 这个过程称为DRAM的刷新。SRAM由晶体管组成,利用半导体双稳态触发器电路 的两个稳定状态表示0和1,来达到保存和记忆信息的效果。SRAM在存储数据时不 需要自动刷新,只有在写入数据时才发生刷新操作。它成本低,速度慢。

第4题:

可用紫外光线擦除信息的存储器是()。



A. DRAM
B. PROM
C. EPROM
D. EEPROM


答案:C
解析:
试题分析: 主存储器的种类。 ①RAM:随机存储器,可读写,断电后数据无法保存,只能暂存数据。 ②SRAM:静态随机存储器,在不断电时信息能够一直保持。 ③DRAM:动态随机存储器,需要定时刷新以维持信息不丢失。 ④ROM:只读存储器,出厂前用掩膜技术写入,常用于存放BIOS和微程序控制。 ⑤PROM:可编程ROM,只能够一次写入,需用特殊电子设备进行写入。 ⑥EPROM:可擦除的PROM,用紫外线照射15~20分钟可擦去所有信息,可写入多次。 ⑦EEPROM:电可擦除EPROM,可以写入,但速度慢。 ⑧闪速存储器:现在U盘使用的种类,可以快速写入。

第5题:

SRAM和DRAM的区别?()

A.SRAM比DRAM功耗高

B.SRAM比DRAM成本高

C.SRAM比DRAM速度快

D.SRAM比DRAM散热大


参考答案:ABCD

第6题:

下面是关于DRAM和SRAM存储器芯片的叙述:

Ⅰ.SRAM比DRAM集成度高

Ⅱ.SRAM比DRAM成本高

Ⅲ.SRAM比DRAM速度快 Ⅳ.SRAM需要刷新,DRAM不需要刷新

其中正确的叙述是

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:B
解析:SRAM的工作速度快(如2ns):不需要刷新电路,因此使用简单:在读出时不会破坏原来存放的信息(即一经写入可多次读出);但与DRAM相比集成度要低(例如DRAM中的一个晶体管可以存放1位信息,而SRAM中要用6个晶体管才能存放1位信息),功能较大,制造成本高,价格贵。选项B正确。

第7题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述,其中哪两个是正确的?( )。

Ⅰ DRAM比SRAM集成度高

Ⅱ DRAM比SRAM成本高

Ⅲ DRAM比SRAM速度快

Ⅳ DRAM需要刷新, SRAM不需刷新

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:D

第8题:

下面是有关DRAM和SRAM存储器芯片的叙述 Ⅰ.DRAM存储单元的结构比SRAM简单 Ⅱ.DRAM比SRAM成本高 Ⅲ.DRAM比SRAM速度快 Ⅳ.DRAM要刷新,SRAM不需刷新 其中正确的是

A.Ⅰ和Ⅱ

B.Ⅱ和Ⅲ

C.Ⅲ和Ⅳ

D.Ⅰ和Ⅳ


正确答案:D
解析:该题考查考生对DRAM和SRAM存储器的理解。DRAM(Dynamic RAM),即动态随机存储器,需要用恒电流以保存信息,一断电,信息即丢失,它的存取速度不是很快;SRAM (静态RAM),即静态随机存取存储器(Static RAM),随机存取存储器的一种,数据存入静态RAM后,只要电源维持不变,其中存储的数据就能够一直维持不变,不需要定时刷新。与动态RAM比,静态RAM的读写速度要快,但由于每个存储单元的结构更复杂,集成度也较低,所以应该选择D。

第9题:

构成计算机系统内存的主要存储器件是( )。

A.SRAM B.DRAM C.PROM D.EPROM


正确答案:B

第10题:

工作时需要动态刷新的是()。



A. DRAM
B. PROM
C. EPROM
D. SRAM


答案:A
解析:
主存储器的种类。 ①RAM:随机存储器,可读写,断电后数据无法保存,只能暂存数据。 ②SRAM:静态随机存储器,在不断电时信息能够一直保持。 ③DRAM:动态随机存储器,需要定时刷新以维持信息不丢失。 ④ROM:只读存储器,出厂前用掩膜技术写入,常用于存放BIOS和微程序控制。 ⑤PROM:可编程ROM,只能够一次写入,需用特殊电子设备进行写入。 ⑥EPROM:可擦除的PROM,用紫外线照射15~20分钟可擦去所有信息,可写入多次。 ⑦E2PROM:电可擦除EPROM,可以写入,但速度慢。 ⑧闪速存储器:现在U盘使用的种类,可以快速写入。