02899生理学

抑制性突触后电位(IPSP)

题目

抑制性突触后电位(IPSP)

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第1题:

由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括

A、兴奋性突触后电位和局部电位

B、抑制性突触后电位和局部电位

C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位

D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位

E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位


参考答案:E

第2题:

IPSP称为(),是一种()电位。


正确答案:抑制性突触后电位;局部超极化

第3题:

EPSP是指突触后膜发生()化。IPSP是指突触后膜发生()化。


参考答案:去极化,超极化

第4题:

突触后神经元活动取决于()

  • A、EPSP的总和
  • B、IPSP的总和
  • C、EPSP和IPSP的代数和
  • D、以上都不是

正确答案:C

第5题:

产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()

  • A、突触前末梢递质释放减少
  • B、突触后膜Ca2+电导降低
  • C、突触后膜Na+电导降低
  • D、中间神经元受抑制
  • E、突触后膜发生超极化

正确答案:E

第6题:

A.
B.
C.
D.

形成快IPSP的离子基础主要是( )

答案:D
解析:

第7题:

IPSP


正确答案:在递质作用下,而出现的在突触后膜的超极化,能降低突触后神经元的兴奋性,故称为抑制性突触后电位。

第8题:

关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的

A.突触前末梢去极化

B.Ca2+由膜内进入突触前膜内

C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合

D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高

E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动


正确答案:E
解析:IPSP产生过程是:突触前末梢去极化,Ca2+由膜内进入突触前膜内,引起突触小泡释放抑制性递质与突触后膜受体结合,使突触后膜对K+、Cl-的通透性升高,突触后膜出现超极化的电位变化,突触后神经元表现抑制。

第9题:

关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()

  • A、Cl通道开放可降低IPSP
  • B、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
  • C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
  • D、IPSP使神经元的兴奋性增加
  • E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K和Cl的通透性有关

正确答案:A

第10题:

关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()

  • A、Cl-通道开放可降低IPSP
  • B、多由抑制性中间神经元发放的冲动产生
  • C、IPSP常由抑制性递质与突触后膜上的受体结合产生超极化
  • D、IPSP使神经元的兴奋性增加
  • E、IPSP主要是抑制性神经递质与突触后膜受体结合后增加后者对K+和Cl-的通透性有关

正确答案:A

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