第1题:
由于不同递质对突触后膜通透性影响的不同,突触后电位的类型包括
A、兴奋性突触后电位和局部电位
B、抑制性突触后电位和局部电位
C、兴奋性突触后电位、抑制性突触后电位和局部电位
D、兴旮性突触后电位或抑制性突触后电位
E、兴奋性突触后电位和抑制性突触后电位
第2题:
IPSP称为(),是一种()电位。
第3题:
第4题:
突触后神经元活动取决于()
第5题:
产生抑制性突触后电位(IPSP)的主要机制是()
第6题:
第7题:
IPSP
第8题:
关于抑制性突触后电位(IPSP)产生过程的描述,哪一项是错误的
A.突触前末梢去极化
B.Ca2+由膜内进入突触前膜内
C.突触小泡释放递质,并与突触后膜受体结合
D.突触后膜对K+、Cl-的通透性升高
E.突触后膜膜电位增大,引起突触后神经元发放冲动
第9题:
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()
第10题:
关于抑制性突触后电位(IPSP),下述哪项错误()