工学

单选题材料的禁带宽度,最大的是()A 金属;B 杂质半导体;C 绝缘体;D 本征半导体;

题目
单选题
材料的禁带宽度,最大的是()
A

金属;

B

杂质半导体;

C

绝缘体;

D

本征半导体;

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第1题:

对ZnO性质和应用描述错误的是()。

A、禁带宽度比较大

B、间接带隙

C、可以作蓝光LED

D、可以作透明电极


参考答案:B

第2题:

导体材料的能带结构为禁带宽度小于2eV()


答案:错
解析:

第3题:

动态补偿力矩与带材宽度、卷材卷径及带材加速度有关,尤其与带材宽度关系最大。()

此题为判断题(对,错)。


答案×

第4题:

禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。


正确答案:电子从价带跳到导带

第5题:

下列不是能带的是().

  • A、价带
  • B、电带
  • C、导带
  • D、禁带

正确答案:B

第6题:

若光子能量足够大,则半导体材料中价带的电子吸收光子的能量,从价带越过禁带到达导带。()


答案:对
解析:

第7题:

绝缘材料的能带结构中禁带宽度一般大于5eV()


答案:对
解析:

第8题:

非金属材料的透光性与其能带结构中()的能量大小有关。

A.禁带

B.允带

C.导带

D.价带


正确答案:A

第9题:

禁带宽度的大小决定着电子从价带跳到导带的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子()外界因素(如高温和辐射等)的干扰而产生变化。

  • A、越不容易受
  • B、越容易受
  • C、基本不受

正确答案:A

第10题:

氢化非晶硅的禁带宽度可调,含氢量增加,禁带宽度();在非晶硅中掺入Ge元素,其禁带宽度()。


正确答案:增大;减小