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问答题NMOS和PMOS的源漏如何形成的？

题目
问答题
NMOS和PMOS的源漏如何形成的？
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第1题：

旅游经济漏损的原因有()。

A、进口相关商品和劳务形成漏损

B、引进旅游投资和管理形成漏损

C、旅游社偷税漏税形成漏损

D、景区少报门票收入形成漏损

E、国外旅游企业跨国经营形成漏损


参考答案：ABCDE

第2题：

场效应管中参与导电的载流子,只能是电子或空穴中的一种,NMOS管的载流子是(),PMOS管的载流子是()。


参考答案：电子 空穴

第3题：

场效应晶体管是用()控制漏极电流的。

A、栅源电流

B、栅源电压

C、漏源电流

D、漏源电压


参考答案：B

第4题：

由下列器件构成的模拟开关中，导通电阻最低的是( )。

A．CMOS场效应管

B．PMOS场效应管

C．NMOS场效应管

D．二簧继电器


正确答案：D

第5题：

To design a CMOS invertor with balance rise and fall time,please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?


正确答案：
      

第6题：

MOS器件的基本结构有N沟道和P沟道两种,也就有NMOS和PMOS逻辑门电路两种。()

此题为判断题(对，错)。


参考答案：正确

第7题：

please show the CMOS inverter schmatic,layout and its cross sectionwith P-well process.Plot its transfer curve (Vout-Vin) And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve? （威盛笔试题c ircuit design-beijing-03.11.09）


正确答案：
        

第8题：

场效应管放大电路以()之间的信号作为输入信号。

A、栅极和漏极

B、栅极和源极

C、漏极和源极

D、基极和发射极


参考答案：B

第9题：

什么是NMOS、PMOS、CMOS？什么是增强型、耗尽型？什么是PNP、NPN？他们有什么差别？（仕兰微面试题目）


正确答案：
 

第10题：

MOS集成电路按其形式有NMOS和PMOS两种。


正确答案:错误

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