工学
判断题离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。A 对B 错
题目
判断题
离子注入的缺点之一是注入设备的复杂性。
A
对
B
错
参考答案和解析
正确答案：
错
解析：
暂无解析
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相似问题和答案
第1题：
例举离子注入设备的5个主要子系统。
正确答案:（1）离子源：待注入物质必须以带电粒子束或离子束的形式存在。注入离子在离子源中产生
（2）引出电极（吸极）和离子分析器：传统注入机吸极系统收集离子源中产生的所有正离子并使它们形成粒子束，离子通过离子源上的一个窄缝得到吸收。
（3）加速管：为了获得更高的速度，出了分析器磁铁，正离子还要再加速管中的电场下进行加速
（4）扫描系统扫描在剂量的统一性和重复性方面起着关键租用。
（5）工艺室------离子束向硅片的注入发生在工艺腔中。
第2题：
离子注入
正确答案:离子注入：将预先选择的元素原子电离，经电场加速，获得高能量后注入工件的表面改性工艺。
第3题：
离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的（）。
- A、能量
- B、剂量
正确答案:B
第4题：
问答题
列举离子注入设备的5个主要子系统。
正确答案：
1.离子源
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
2.引出电极和离子分析器
3.加速管
4.扫描系统
5.工艺室
解析：
暂无解析
第5题：
移动平均法的缺点之一是容易受现象复杂性影响
正确答案:错误
第6题：
离子注入层的深度主要取决于离子注入的（）。
- A、能量
- B、剂量
正确答案:A
第7题：
什么叫离子注入，它的特点是什么？
正确答案: 在真空中将元素电离，并加高压使离子以很高速度硬挤入工件表面的工艺过程叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。
叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注
入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度
能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。
叫离子注入。其特点是深度浅，而在使用中，注入元素仍能继续向里迁移。由于注
入时工件温度低，故不改变基体性能及表面粗糙度。注入时，注入能量及注入深度
能准确控制，注入层结合力强，无剥落现象。
第8题：
例举离子注入工艺和扩散工艺相比的优点和缺点。
正确答案:离子注入的优点：
（1）精确控制杂质含量和分布
（2）很好的杂质均匀性
（3）对杂质穿透深度有很好的控制
（4）产生单一离子束
（5）低温工艺
（6）注入的离子能穿透薄膜
（7）无固溶度极限
离子注入的缺点：
（1）高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤
（2）注入设备的复杂性
第9题：
问答题
简述离子注入的优缺点
正确答案：
优点：精确控制杂质含量、很好的杂质均匀性、对杂质穿透深度有很好的控制、产生单一离子束、低温工艺、注入的离子能穿过薄膜、无固溶度极限
缺点：
A.高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤（可用高温退火进行修复）
B.注入设备的复杂性（这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补） 重要的离子注入参数 剂量、射程
缺点：
A.高能杂质离子轰击硅原子将对晶体结构产生损伤（可用高温退火进行修复）
B.注入设备的复杂性（这一缺点被注入机对剂量和深度的控制能力及整体工艺的灵活性弥补） 重要的离子注入参数 剂量、射程
解析：
暂无解析
第10题：
判断题
离子注入中静电扫描的主要缺点是离子束不能垂直轰击硅片，会导致光刻材料的阴影效应，阻碍离子束的注入。
A
对
B
错
正确答案：
错
解析：
暂无解析