工学
单选题硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。A a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；B b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；C c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
题目
单选题
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于（）。
A
a.体刻蚀加工对基体材料进行加工，而面刻蚀加工不对衬底材料进行加工；
B
b.体刻蚀加工不对基体材料进行加工，而面刻蚀加工对衬底材料进行加工；
C
c.体刻蚀加工可获得高纵横比的结构，而面刻蚀加工只能获得较低纵横比的结构；
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相似问题和答案
第1题：
反应离子腐蚀是（）。
- A、化学刻蚀机理
- B、物理刻蚀机理
- C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
正确答案:C
第2题：
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
- A、n型掺杂区
- B、P型掺杂区
- C、栅氧化层
- D、场氧化层
正确答案:C
第3题：
通常情况下，我们改变工艺条件使刻蚀进行中（）的刻蚀速率尽量低。
- A、光刻胶
- B、衬底
- C、表面硅层
- D、扩散区
- E、源漏区
正确答案:A,B
第4题：
哪种化学气体经常用来刻蚀多晶硅？描述刻蚀多晶硅的三个步骤。
正确答案:多晶硅等离子刻蚀用的化学气体通常是氯气、溴气或二者混合气体。
刻蚀多晶硅的三步工艺：
1.预刻蚀，用于去除自然氧化层、硬的掩蔽层和表面污染物来获得均匀的刻蚀。
2.接下来的是刻至终点的主刻蚀。这一步用来刻蚀掉大部分的多晶硅膜，并不损伤栅氧化层和获得理想的各向异性的侧壁剖面。
3.最后一步是过刻蚀，用于去除刻蚀残留和剩余多晶硅，并保证对栅氧化层的高选择比。这一步应避免在多晶硅周围的栅氧化层形成微槽。
第5题：
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
- A、二氧化硅
- B、氮化硅
- C、单晶硅
- D、多晶硅
正确答案:A
第6题：
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
- A、单晶硅刻蚀
- B、多晶硅刻蚀
- C、二氧化硅刻蚀
- D、氮化硅刻蚀
正确答案:A
第7题：
下列物质的等离子体适合用以刻蚀铝合金中硅的有（）。
- A、CF4
- B、BCl3
- C、Cl2
- D、F2
- E、CHF3
正确答案:B,C
第8题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
- A、等离子体刻蚀
- B、反应离子刻蚀
- C、湿法刻蚀
- D、溅射刻蚀
正确答案:D
第9题：
微细加工技术中的刻蚀工艺可分为下列哪两种（）。
- A、干法刻蚀、湿法刻蚀
- B、离子束刻蚀、激光刻蚀
- C、溅射加工、直写加工
- D、以上都可以
正确答案:A
第10题：
为了避免（）在经过氯化物等离子体刻蚀之后的残留物使其发生腐蚀，必须在刻蚀完毕之后再增加一道工序来除去这些表面残留物。
- A、多晶硅
- B、单晶硅
- C、铝硅铜合金
- D、铜
正确答案:C