第1题:
什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?
第2题:
简述光刻工艺流程。
第3题:
在硅片制造中光刻胶的两种目的是什么?
第4题:
第5题:
光刻和刻蚀的目的是什么?
第6题:
解释光刻胶显影。光刻胶显影的目的是什么?
第7题:
试分析4次光刻中第2次光刻的工艺方案。
第8题:
pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。
第9题:
在集成电路工艺中,光复制图形和材料刻蚀相结合的工艺技术是()。
第10题:
判断题光刻是集成电路制造工艺发展的驱动力。A 对B 错
问答题简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤?
问答题最早应用在半导体光刻工艺中的光刻胶是哪种胶?
填空题集成电路制造工艺技术主要包括:热工艺、()、光刻、清洗与刻蚀、金属化、表面平坦化。
问答题光刻工艺的主要流程有哪几步?什么是光刻工艺的分辨率?从物理角度看,限制分辨率的因素是什么?最常用的曝光光源是什么?
判断题在集成电路制造工艺步骤中,光刻与刻蚀能把掩膜版上的图形转移到硅片上来。A 对B 错
问答题为什么说光刻是IC制造中最重要的工艺?光刻的三个要素是什么?
问答题光刻和刻蚀的目的是什么?
填空题设计与生产一种最简单的硅双极型PN结隔离结构的集成电路,需要()、()、()、()、()、()等六次光刻。
多选题以下属于光刻工艺的为:()。A光刻胶涂覆B曝光C显影D腐蚀