工学
判断题集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。A 对B 错
题目
判断题
集成电路制造工艺中隔离扩散的深度可以不超过外延层的厚度。
A
对
B
错
参考答案和解析
正确答案：
对
解析：
暂无解析
如果没有搜索结果，请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案
第1题：
外延层的迁移率低的因素有原材料纯度（）；反应室漏气；外延层的晶体（）；系统沾污等；载气纯度不够；外延层晶体缺陷多；生长工艺条件不适宜。
正确答案:不够；质量差
第2题：
在大规模集成电路的制造中，更多采用的是MOS工艺集成电路，而不是双极型集成电路。
正确答案:正确
第3题：
下列不属于根据制造工艺的不同对集成电路分类的是()。
A、膜集成电路
B、半导体集成电路
C、混合集成电路
D、模拟集成电路
参考答案：D
第4题：
一般来说，CAS的隔离罩深度估算公式为净空高度+渣层厚度+罩插入钢液中的深度（100～200mm）。
正确答案:正确
第5题：
集成电路按照制造工艺可分为（）。
- A、半导体集成电路
- B、薄膜集成电路
- C、数字集成电路
- D、厚膜集成电路
正确答案:A,B,D
第6题：
扩散工艺在现在集成电路工艺中仍然是是一项重要的集成电路工艺，现在主要被用来制作（）。
- A、埋层
- B、外延
- C、PN结
- D、扩散电阻
- E、隔离区
正确答案:A,C,D
第7题：
按制造工艺集成电路分为（）。
- A、半导体集成电路
- B、TTL集成电路
- C、厚膜集成电路
- D、薄膜集成电路
- E、CMOS集成电路
正确答案:A,C,D
第8题：
集成电路制造中有哪几种常见的扩散工艺？各有什么优缺点？
正确答案: 扩散工艺分类：按原始杂质源在室温下的相态分类，可分为固态源扩散，液态源扩散和气态源扩散。固态源扩散（1）.开管扩散优点：开管扩散的重复性和稳定性都很好。（2）.箱法扩散优点；箱法扩散的硅表面浓度基本由扩散温度下杂质在硅中的固溶度决定，均匀性较好。（3）.涂源法扩散缺点：这种扩散方法的表面浓度很难控制，而且又不均匀。（4）.杂质源也可以采用化学气相淀积法淀积，这种方法的均匀性、重复性都很好，还可以把片子排列很密，从而提高生产效率，其缺点是多了一道工序。液态源扩散液态源扩散优点：系统简单，操作方便，成本低，效率高，重复性和均匀性都很好。扩散过程中应准确控制炉温、扩散时间、气体流量和源温等。源瓶的密封性要好，扩散系统不能漏气。气态源扩散气态杂质源多为杂质的氢化物或者卤化物，这些气体的毒性很大，且易燃易爆，操作上要十分小心。快速气相掺杂（RVD）气体浸没激光掺杂（GILD）
第9题：
对于插入深度500mm的真空炉，渣层厚度一般不超过150mm。最大不能超过300mm。
正确答案:正确
第10题：
选用管子时，管子制造过程中造成的纵向刮伤，深度不得超过（）的额定管壁厚度。
正确答案:1/10