工学
问答题晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。
题目
问答题
晶圆的英文是什么？简述晶圆制备的九个工艺步骤。
参考答案和解析
正确答案：
Wafer。
（1）单晶硅生长：晶体生长是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅锭。可用CZ法或区熔法。
（2）整型。去掉两端，径向研磨，硅片定位边或定位槽。
（3）切片。对200mm及以上硅片而言，一般使用内圆切割机；对300mm硅片来讲都使用线锯。
（4）磨片和倒角。切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整，又叫倒角，可使硅片边缘获得平滑的半径周线。
（5）刻蚀。在刻蚀工艺中，通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。
（6）抛光。也叫化学机械平坦化（CMP），它的目标是高平整度的光滑表面。抛光分为单面抛光和双面抛光。
（7）清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态。
（8）硅片评估。
（9）包装。
（1）单晶硅生长：晶体生长是把半导体级硅的多晶硅块转换成一块大的单晶硅。生长后的单晶硅被称为硅锭。可用CZ法或区熔法。
（2）整型。去掉两端，径向研磨，硅片定位边或定位槽。
（3）切片。对200mm及以上硅片而言，一般使用内圆切割机；对300mm硅片来讲都使用线锯。
（4）磨片和倒角。切片完成后，传统上要进行双面的机械磨片以去除切片时留下的损伤，达到硅片两面高度的平行及平坦。硅片边缘抛光修整，又叫倒角，可使硅片边缘获得平滑的半径周线。
（5）刻蚀。在刻蚀工艺中，通常要腐蚀掉硅片表面约20微米的硅以保证所有的损伤都被去掉。
（6）抛光。也叫化学机械平坦化（CMP），它的目标是高平整度的光滑表面。抛光分为单面抛光和双面抛光。
（7）清洗。半导体硅片必须被清洗使得在发给芯片制造厂之前达到超净的洁净状态。
（8）硅片评估。
（9）包装。
解析：
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第1题：
简述大块非晶合金的制备方法。
正确答案:预先配置好的合金在惰性气体的保护下进行熔化，然后制备非晶粉末，该过程要在高真空或者是惰性气体的保护下进行，再将获得的非晶粉末收集起来过筛，筛掉粒度较大的可能发生晶化的颗粒。过筛之后的颗粒进行真空热挤压，获得一定的致密度，然后将预挤压的试样进行包套、除气、焊合。
第2题：
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大块非晶制备技术：
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第3题：
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边缘效应造成的温度梯度通常在几十甚至上百度，不仅导致热处理工艺的不均匀，且可能造成滑移等缺陷和硅片的翘曲。
第4题：
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第5题：
简述非晶氢化氮化硅（α-SiNx：H）薄膜的优点及其制备工艺。
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（2）氮化硅还有良好的抗氧化、抗腐蚀和绝缘性能，以及良好的阻挡钠离子等金属离子和水蒸气的能力。
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第6题：
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- B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
- C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
- D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
正确答案:A
第7题：
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正确答案:B
第8题：
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第10题：
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正确答案:B