工学
问答题简述晶圆的制造步骤
题目
问答题
简述晶圆的制造步骤
参考答案和解析
正确答案：
1、整形处理：去掉两端，检查电阻确定单晶硅达到合适的掺杂均匀度。
2、切片
3、磨片和倒角
4、刻蚀
5、化学机械抛光
2、切片
3、磨片和倒角
4、刻蚀
5、化学机械抛光
解析：
暂无解析
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相似问题和答案
第1题：
沾污引起的电学缺陷引起（），硅片上的管芯报废以及很高的芯片制造成本。
- A、不会影响成品率
- B、晶圆缺陷
- C、成品率损失
- D、晶圆损失
正确答案:C
第2题：
简述晶须的种类并说明晶须高强的原因
正确答案: 晶须种类：（1）金属晶须：Ni、Fe、Cu、Si、Ag等（2）氧化物晶须：MgO、ZnO、Al2O3等（3）陶瓷晶须：碳化物晶须、SiC等（4）硼化物晶须：TiB2、ZrB2等（5）无机盐类晶须
晶须高强原因：（1）直径非常小，不能容纳使晶体削弱的空隙、位错和不完整等缺陷；（2）晶须材料的内部结构完整，使它的强度不受表面完整性的严格限制。
第3题：
简述全圆测回法观测水平角的操作步骤。
正确答案：全圆测回法观测水平角的操作步骤是(以4个观测方向为例)：(1)将经纬仪安置在角顶点O上进行对中和整平。(2)将望远镜调成盘左位置，并为起始方向(目标1)配置水平度盘读数为0°00′00″。(3)在保持望远镜处于盘左的状态下，顺时针旋转照准部依次瞄准其他各观测目标(2、3、4)并读取度盘读数。之后继续顺时针旋转照准部瞄准起始目标1(即归零)读取度盘读数，完成上半测回的观测。(4)将望远镜调成盘右状态，瞄准起始方向(目标1)读数，并逆时针旋转照准部依次瞄准其他各观测目标(4、3、2)读取度盘读数，最后归零再次照准起始目标1读数，完成下半测回的观测。
第4题：
简述圆曲线主点的测设步骤。
正确答案:在交点上安置经纬仪，瞄准直线1方向上的一个转点，在视线方向上量取切线长得ZY点，瞄准直线2方向上的一个转点，量切线长得YZ点，把视线转至到内角平分线上量取外矢距，用盘左盘右分中得QZ，并在主点上打方木桩，上面钉小钉表示点位。
第5题：
加工外圆的步骤？
正确答案: 1、对刀
2、后右退刀
3、给出吃刀深度
4、试车1—3mm
5、停车向右退刀后测量
6、根据测量结果调整吃刀深度，加工。
第6题：
玻晶砖是一种新型环保材料，它的制作步骤排序正确的是（）
- A、粉碎→成型→退火→晶化
- B、粉碎→晶化→成型→退火
- C、粉碎→成型→晶化→退火
- D、粉碎→晶化→退火→成型
正确答案:C
第7题：
简述外圆车刀的刃磨步骤有哪些？
正确答案: 1）磨主切面，同时磨出主偏角及主后角。
2）磨副后刀面，同时磨出副偏角及副后角。
3）磨前面，同时磨出前角。
4）修磨各刀面及刀尖。
第8题：
对RTP来说，很难在高温下处理大直径晶圆片而不在晶圆片边缘造成热塑应力引起的滑移。分析滑移产生的原因。如果温度上升速度加快后，滑移现象变得更为严重，这说明晶圆片表面上的辐射分布是怎样的？
正确答案: 硅片热不均匀的因素三个因素造成硅片的热不均匀问题（硅片边缘温度比中心低）：
圆片边缘接收的热辐射比圆片中心少
圆片边缘的热损失比圆片中心大
气流对圆片边缘的冷却效果比圆片中心好
边缘效应造成的温度梯度通常在几十甚至上百度，不仅导致热处理工艺的不均匀，且可能造成滑移等缺陷和硅片的翘曲。
第9题：
集成电路的主要制造流程是（）
- A、硅抛光片——晶圆——芯片——集成电路——成品测试
- B、硅抛光片——芯片——晶圆——成品测试——集成电路
- C、晶圆——硅抛光片——芯片——成品测试——集成电路
- D、硅抛光片——芯片——晶圆——集成电路——成品测试
正确答案:A
第10题：
简述球晶的生长过程及如何控制球晶大小。
正确答案:一、形成条件：从浓溶液析出，或从熔体冷结晶时，在不存在应力或流动的情况下形成。
1、异相成核与生长：①由溶液中的杂质，添加剂、容器壁或其他第三组分为晶核生长的球晶。②成核数目只与杂质数目有关。③球晶从中心一点向外发散状生长。
2、均相成核与生长：①由聚合物分子本身形成的晶核。②成核数目随时间增长而增长。③随时间的增长或溶液浓度的增加，晶核不断长大为片层束，进而分支生成球晶的雏形，继续生长形成片晶球形对称排列的球晶。④球晶中心存在两个空区。
二、控制球晶大小的方法：1.控制形成速度：将熔体急速冷却（在较低的温度范围），生成较小的球晶；缓慢冷却，则生成较大的球晶。2.采用共聚的方法：破坏链的均一性和规整性，生成较小球晶。3.外加成核剂：可获得小甚至微小的球晶。