工学
问答题简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。
题目
问答题
简述沉积多晶硅采用什么CVD工具？掺杂的Poly－Si的主要用途。写出掺杂的Poly－Si做栅电极的6个原因。
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相似问题和答案
第1题：
导电聚合物的氧化掺杂也称p型掺杂，指用碱金属进行掺杂。（）
答案：错
解析：
第2题：
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
- A、n型掺杂区
- B、P型掺杂区
- C、栅氧化层
- D、场氧化层
正确答案:C
第3题：
关于BJT的结构特点说法错误的是()。
A、基区很薄且掺杂浓度很低
B、发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
C、基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度
D、集电区面积大于发射区面积
正确答案:C
第4题：
简述什么是食品掺假、掺杂和伪造？
正确答案:（1）“掺假”是指食品中添加了廉价或没有营养价值的物品，或从食品中抽去了有营养的物质或替换进次等物质，从而降低了质量，如蜂蜜中加入转化糖，巧克力饼干加入了色素，全脂奶粉中抽掉脂肪等。
（2）“掺杂”即在食品中加入一些杂物，如腐竹中加入硅酸钠或硼砂；辣椒粉中加入了红砖木等。
（3）“伪造”是指包装标识或产品说明与内容物不符。
掺假、掺杂、伪造的食品，一般应由工商行政部门处理。对影响营养卫生的，应由卫生行政部门依法进行处理。
第5题：
在高掺杂效应中，造成禁带收缩的主要原因是什么？
正确答案: 1﹑硅的能带边缘出现了一个能带尾态，于是禁带缩小到两个尾态边缘间的宽度。
2﹑随着杂质浓度的增加，杂质能级扩散为杂质能带，并且有可能和硅的能带相接，而使硅的能带延伸到杂质能带的边缘，禁带也就变小了。
3﹑高浓度的杂质使晶格发生宏观应变，从而造成禁带随空间变化而使禁带缩小。
第6题：
导电聚合物的还原掺杂（也称n型掺杂）一般是用卤素掺杂。（）
答案：错
解析：
第7题：
多晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对（）的高选择性。超薄的栅氧化层使得在刻蚀多晶硅电极时对栅氧化层的刻蚀要尽可能的小。
- A、二氧化硅
- B、氮化硅
- C、单晶硅
- D、多晶硅
正确答案:A
第8题：
晶体管的内部放大条件是:发射区重掺杂,基区轻掺杂且宽度很窄,集电极面积大等。()
正确答案:对
第9题：
什么是掺杂、掺假行为？
正确答案:是指违法行为人以谋取利润为目的，故意在产品中掺入杂质或者作假，进行欺骗性商业活动，使产品中的有关物质的含量不符合国家有关法律、法规、合同或标准要求的一种质量违法行为。
第10题：
简述硼掺杂Si的导电机制。
正确答案:3价元素形成的空位能级非常靠近价带顶的能量，在价电子共有化运动中，相邻的原子上的价电子就很容易来填补这个空位（较跃迁至禁带以上的空带容易的多），从而产生一个空穴。