工学
如果没有搜索结果，请直接 联系老师 获取答案。
相似问题和答案
第1题：
铜与氯形成的化合物挥发能力不好，因而铜的刻蚀无法以化学反应来进行，而必须施以（）。
- A、等离子体刻蚀
- B、反应离子刻蚀
- C、湿法刻蚀
- D、溅射刻蚀
正确答案:D
第2题：
反应离子腐蚀是（）。
- A、化学刻蚀机理
- B、物理刻蚀机理
- C、物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合
正确答案:C
第3题：
刻蚀方法有哪些?()
A.化学刻蚀
B.离子刻蚀
C.电解刻蚀
D.以上均不是
正确答案：ABC
第4题：
晶硅栅极刻蚀最大的挑战就是对二氧化硅的高选择性。超薄的（）使得在刻蚀多晶硅电极时对它的刻蚀要尽可能的小。
- A、n型掺杂区
- B、P型掺杂区
- C、栅氧化层
- D、场氧化层
正确答案:C
第5题：
在刻蚀（）过程中假如我们在CF5的等离子体内加入适量的氧气，能够提高刻蚀的速率。
- A、铜
- B、铝
- C、金
- D、二氧化硅
正确答案:D
第6题：
简述干法刻蚀的物理作用和化学作用。
正确答案:物理作用的刻蚀类似于溅射成膜的原理，利用惰性气体的辉光放电产生带正电的离子，在电场作用下加速吸引到下电极上面的基板上，轰击刻蚀薄膜的表面，将薄膜原子轰击出来的过程。常用的惰性气体有氦气（He）、氩气（Ar）等。作用过程完全利用物理上能量的转移进行的，具有很强的刻蚀方向性，可以获得高的各向异性刻蚀断面，线宽控制非常好。
化学作用的刻蚀是一种纯粹的化学反应，利用各种源如射频、微波等，将气体电离产生化学活性极强的原子团、分子团等，扩散到刻蚀薄膜的表面与薄膜发生化学反应，生产易挥发的反应生成物，由真空泵抽离真空反应室。由于只有化学反应发生称之为化学反应刻蚀，类似于湿法刻蚀。只是反应物和生成物都是气态的，且由反应物的等离子体决定刻蚀速率。
第7题：
干法刻蚀的目的是什么？例举干法刻蚀同湿法刻蚀相比具有的优点。干法刻蚀的不足之处是什么？
正确答案:干法刻蚀的主要目的是完整地把掩膜图形复制到硅片表面上。
干法刻蚀的优点：
1.刻蚀剖面是各向异性，具有非常好的侧壁剖面控制
2.好的CD控制
3.最小的光刻胶脱落或粘附问题
4.好的片内、片间、批次间的刻蚀均匀性
5.较低的化学制品使用和处理费用
缺点：对层材料的差的刻蚀选择比、等离子体带来的器件损伤和昂贵的设备
第8题：
氢氟酸在分析化学中用于测定矿物或钢材的二氧化硅含量,还用作玻璃的侵蚀剂以刻蚀标记或花纹。()
此题为判断题(对，错)。
答案：对
第9题：
在生产过程中必须使用（）来完成浅沟槽隔离STI。
- A、单晶硅刻蚀
- B、多晶硅刻蚀
- C、二氧化硅刻蚀
- D、氮化硅刻蚀
正确答案:A
第10题：
在刻蚀二氧化硅过程中假如我们在CF4的（）内加入适量的氢气，能够降低刻蚀的速率。
- A、气体
- B、等离子体
- C、固体
- D、液体
正确答案:B