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半径为R的“无限长”均匀带电圆柱而的静电场中各点的电场强度的大小E与距离r的关系曲线为。（ ）
题目
半径为R的“无限长”均匀带电圆柱而的静电场中各点的电场强度的大小E与距离r的关系曲线为。（ ）
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相似问题和答案
第1题：
如图，半径为a，电荷线密度ρL（r）为常数的均匀带电圆环在轴线上的电场强度为（ ）。
答案：A
解析：
根据点对点的场强公式，圆环上一点对轴线的场强为：
第2题：
在真空中，有一半径为R的均匀带电球面，面密度为σ，球心处的电场强度为（ ）。
答案：D
解析：
带电球面为等位体，并且电荷在球面上均匀分布，根据对称性可知，球心处场强为0。
第3题：
应用安培环路定律
对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场计算,计算结果应为：
对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场计算,计算结果应为：
A.在其外部，即r>R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同
B. r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C. r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D.在其内部，即r
B. r>R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C. r>R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D.在其内部，即r
答案：A
解析：
第4题：
半径为a的长直导线通有电流I，周围是磁导率为μ的均匀媒质，r＞a的媒质磁场强度大小为（ ）。
A． I/（2πr）
B． μI/（2πr）
C． μI/（2πr2）
D． μI/（πr）
B． μI/（2πr）
C． μI/（2πr2）
D． μI/（πr）
答案：B
解析：
由安培环路定律
可得：2πrB＝μI，因此，B＝μI/（2πr）。
可得：2πrB＝μI，因此，B＝μI/（2πr）。
第5题：
无限大真空中一半径为a的带电导体球，所带体电荷在球内均匀分布，体电荷总量为q。在球外(即r a处)任一点r处的电场强度的大小E为（ ）V/m。
答案：D
解析：
解带电金属球在无限大均匀介质中产生的电场强度E=
V/m。
答案:D
V/m。
答案:D
第6题：
在真空中，半径为R的均匀带电半球面，其面电荷密度为σ，该半球面球心处的电场强度值为（ ）。
答案：B
解析：
第7题：
无限大真空中一半径为a的球，内部均匀分布有体电荷，电荷总量为q。在r a的球外 任一点r处的电场强度的大小E为（）V/m。
答案：D
解析：
第8题：
应用安培环路定律
对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知（ ）。
对半径为R的无限长载流圆柱导体的磁场经计算可知（ ）。
A．在其外部，即r＞R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同
B．r＞R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C．r＞R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D．在其内部，即r＜R处的磁场强度与r成反比
B．r＞R处任一点的磁场强度大于载流长直导线在该点的磁场强度
C．r＞R处任一点的磁场强度小于载流长直导线在该点的磁场强度
D．在其内部，即r＜R处的磁场强度与r成反比
答案：A
解析：
安培环路定律
表示磁场强度H沿任意闭合回路的线积分等于穿过该闭合曲线所围面积的电流的代数和，故在导线外部，即r＞R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同都等于闭合曲线所围面积的电流的代数和。
表示磁场强度H沿任意闭合回路的线积分等于穿过该闭合曲线所围面积的电流的代数和，故在导线外部，即r＞R处的磁场与载同等电流的长直导线的磁场相同都等于闭合曲线所围面积的电流的代数和。
第9题：
真空中有一均匀带电球表面，半径为R，电荷总量为q，则球心处的电场强度大小应为下列哪项数值？（ ）
答案：D
解析：
带电球体中心场强为0，分析如下取中性点半径为r的小球，其场强为：
解得
当 r→0时的极限，即电场强度E=0。
【说明】根据高斯定理，在任意闭合曲面上，电位移向量的面积积分恒等于该闭合曲面内所有自由电荷的代数和，已知带电球面的自由电荷只是分布在表面，内部没有自由电荷，因此球心处的电场强度为0。这种现象又称为静电屏蔽效应，带电球面的中心处电场强度为0。
解得
当 r→0时的极限，即电场强度E=0。
【说明】根据高斯定理，在任意闭合曲面上，电位移向量的面积积分恒等于该闭合曲面内所有自由电荷的代数和，已知带电球面的自由电荷只是分布在表面，内部没有自由电荷，因此球心处的电场强度为0。这种现象又称为静电屏蔽效应，带电球面的中心处电场强度为0。
第10题：
在Oyz平面内有一半径为R的圆环，均匀带有电荷量q，试计算圆环轴线(ox轴)上任意一点P处的电场强度及电势的大小。
答案：
解析：
